Общие
| Capacitance @ Vr, F | 70pF @ 4V, 1MHz |
|---|---|
| Производитель | Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Product Status | Active |
| Reverse Recovery Time (trr) | 280 ns |
| Технология | Standard |
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
SE10DLGHM3/I
DatasheetАналоговые и силовые компоненты
DIODE GEN PURP 400V 3.6A TO263AC
Технические характеристики
Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
Электрические
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 400 V |
|---|---|
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1 V @ 10 A |
| Current - Average Rectified (Io) | 3.6A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 5 µA @ 400 V |
| Скорость | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Механические
| Корпус | Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) |
|---|---|
| Package / Case | TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), Variant |
| Корпус производителя | TO-263AC (SMPD) |
Среда
| Grade | Automotive |
|---|---|
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 175°C |
| Qualification | AEC-Q101 |