S8M-E3/I

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

S8M-E3/I

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

8A, 1000V, STD RECT , SMC

В производствеDO-214AB, SMCАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Базовый Part NumberS8M
Capacitance @ Vr, F72pF @ 4V, 1MHz
ПроизводительVishay General Semiconductor - Diodes Division
Тип монтажаSurface Mount
УпаковкаTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Статус позицииВ производстве
Reverse Recovery Time (trr)3.6 µs
ТехнологияStandard

Электрические

Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If975 mV @ 8 A
Current - Average Rectified (Io)8A
Current - Reverse Leakage @ Vr10 µA @ 1000 V
СкоростьStandard Recovery > 500ns, > 1A (Io)

Механические

Package / CaseDO-214AB, SMC
Корпус производителяDO-214AB (SMC)

Среда

Operating Temperature - Junction-55°C ~ 150°C