Vishay General Semiconductor - Diodes Division
DIODE GEN PURP 600V 1A DO219AB
Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
| Capacitance @ Vr, F | 5pF @ 4V, 1MHz |
|---|---|
| Производитель | Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) |
| Статус позиции | В производстве |
| Reverse Recovery Time (trr) | 500 ns |
| Технология | Standard |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 600 V |
|---|---|
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.25 V @ 1 A |
| Current - Average Rectified (Io) | 1A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 5 µA @ 600 V |
| Скорость | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Package / Case | DO-219AB |
|---|---|
| Корпус производителя | DO-219AB (SMF) |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 150°C |
|---|