Общие
| Базовый Part Number | GSIB640 |
|---|---|
| Diode Type | Single Phase |
| Производитель | Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
| Тип монтажа | Through Hole |
| Упаковка | Tube |
| Статус позиции | В производстве |
| Технология | Standard |
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
GSIB640N-M3/45
DatasheetАналоговые и силовые компоненты
BRIDGE RECT 1P 400V 6A GSIB-5S
Технические характеристики
Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
Электрические
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 950 mV @ 3 A |
|---|---|
| Voltage - Peak Reverse (Max) | 400 V |
| Current - Average Rectified (Io) | 6 A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 10 µA @ 400 V |
Механические
| Package / Case | 4-SIP, GSIB-5S |
|---|---|
| Корпус производителя | GSIB-5S |
Среда
| Рабочая температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
|---|