Общие
| Базовый Part Number | GBU8 |
|---|---|
| Diode Type | Single Phase |
| Производитель | Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
| Тип монтажа | Through Hole |
| Упаковка | Tube |
| Статус позиции | В производстве |
| Технология | Standard |
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
GBU8D-E3/45
DatasheetАналоговые и силовые компоненты
BRIDGE RECT 1PHASE 200V 3.9A GBU
Технические характеристики
Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
Электрические
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1 V @ 8 A |
|---|---|
| Voltage - Peak Reverse (Max) | 200 V |
| Current - Average Rectified (Io) | 3.9 A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 5 µA @ 200 V |
Механические
| Package / Case | 4-SIP, GBU |
|---|---|
| Корпус производителя | GBU |
Среда
| Рабочая температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
|---|