Vishay General Semiconductor - Diodes Division
DIODE GEN PURP 300V 16A TO263AB
Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
| Базовый Part Number | FESB16 |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 175pF @ 4V, 1MHz |
| Производитель | Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) |
| Статус позиции | Устаревший |
| Reverse Recovery Time (trr) | 50 ns |
| Технология | Standard |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 300 V |
|---|---|
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.3 V @ 16 A |
| Current - Average Rectified (Io) | 16A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 10 µA @ 300 V |
| Скорость | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Package / Case | TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB |
|---|---|
| Корпус производителя | TO-263AB (D2PAK) |
| Grade | Automotive |
|---|---|
| Operating Temperature - Junction | -65°C ~ 150°C |
| Qualification | AEC-Q101 |