ES3DHE3/9AT

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

ES3DHE3/9AT

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB

УстаревшийDO-214AB, SMCАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Базовый Part NumberES3
Capacitance @ Vr, F45pF @ 4V, 1MHz
ПроизводительVishay General Semiconductor - Diodes Division
Тип монтажаSurface Mount
УпаковкаTape & Reel (TR)
Статус позицииУстаревший
Reverse Recovery Time (trr)30 ns
ТехнологияStandard

Электрические

Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If900 mV @ 3 A
Current - Average Rectified (Io)3A
Current - Reverse Leakage @ Vr10 µA @ 200 V
СкоростьFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Механические

Package / CaseDO-214AB, SMC
Корпус производителяDO-214AB (SMC)

Среда

GradeAutomotive
Operating Temperature - Junction-55°C ~ 150°C
QualificationAEC-Q101