Общие
| Базовый Part Number | BYT52 |
|---|---|
| Производитель | Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
| Тип монтажа | Through Hole |
| Product Status | Active |
| Reverse Recovery Time (trr) | 200 ns |
| Технология | Avalanche |
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
BYT52K-TR
DatasheetАналоговые и силовые компоненты
DIODE AVALANCHE 800V 1.4A SOD57
Технические характеристики
Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
Электрические
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 800 V |
|---|---|
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.3 V @ 1 A |
| Current - Average Rectified (Io) | 1.4A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 5 µA @ 800 V |
| Скорость | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Механические
| Корпус | Tape & Reel (TR) |
|---|---|
| Package / Case | SOD-57, Axial |
| Корпус производителя | SOD-57 |
Среда
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 175°C |
|---|