BYM12-50-E3/96

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

BYM12-50-E3/96

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

DIODE GEN PURP 50V 1A DO213AB

В производствеDO-213AB, MELF (Glass)Аналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Базовый Part NumberBYM12
Capacitance @ Vr, F20pF @ 4V, 1MHz
ПроизводительVishay General Semiconductor - Diodes Division
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusActive
Reverse Recovery Time (trr)50 ns
СерияSUPERECTIFIER®
ТехнологияStandard

Электрические

Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If1 V @ 1 A
Current - Average Rectified (Io)1A
Current - Reverse Leakage @ Vr5 µA @ 50 V
СкоростьFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Механические

КорпусTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / CaseDO-213AB, MELF (Glass)
Корпус производителяDO-213AB

Среда

Operating Temperature - Junction-65°C ~ 175°C