Общие
| Базовый Part Number | BYG10 |
|---|---|
| Производитель | Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) |
| Статус позиции | В производстве |
| Reverse Recovery Time (trr) | 4 µs |
| Технология | Avalanche |
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
BYG10Y-E3/TR
DatasheetАналоговые и силовые компоненты
DIODE AVAL 1.6KV 1.5A DO214AC
Технические характеристики
Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
Электрические
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 1600 V |
|---|---|
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.15 V @ 1.5 A |
| Current - Average Rectified (Io) | 1.5A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 1 µA @ 1600 V |
| Скорость | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Механические
| Package / Case | DO-214AC, SMA |
|---|---|
| Корпус производителя | DO-214AC (SMA) |
Среда
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 150°C |
|---|