Общие
| Базовый Part Number | BAS386 |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 8pF @ 1V, 1MHz |
| Производитель | Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) |
| Статус позиции | В производстве |
| Технология | Schottky |
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
BAS386-TR3
DatasheetАналоговые и силовые компоненты
DIODE SCHOTT 50V 200MA MICROMELF
Технические характеристики
Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
Электрические
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 50 V |
|---|---|
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 900 mV @ 100 mA |
| Current - Average Rectified (Io) | 200mA |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 5 µA @ 40 V |
| Скорость | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Механические
| Package / Case | 2-SMD, No Lead |
|---|---|
| Корпус производителя | MicroMELF |
Среда
| Grade | Automotive |
|---|---|
| Operating Temperature - Junction | -65°C ~ 150°C |
| Qualification | AEC-Q101 |