Vishay General Semiconductor - Diodes Division
DIODE AVALANCHE 1KV 2.4A TO277A
Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
| Базовый Part Number | AS4 |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 60pF @ 4V, 1MHz |
| Производитель | Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) |
| Статус позиции | Discontinued at |
| Reverse Recovery Time (trr) | 1.8 µs |
| Серия | eSMP® |
| Технология | Avalanche |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 1000 V |
|---|---|
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 962 mV @ 2 A |
| Current - Average Rectified (Io) | 2.4A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 10 µA @ 1000 V |
| Скорость | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Package / Case | TO-277, 3-PowerDFN |
|---|---|
| Корпус производителя | TO-277A (SMPC) |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 175°C |
|---|