Vishay General Semiconductor - Diodes Division
DIODE AVALANCHE 600V 2.1A TO277A
Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
| Базовый Part Number | AS3 |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 37pF @ 4V, 1MHz |
| Производитель | Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) |
| Статус позиции | Discontinued at |
| Reverse Recovery Time (trr) | 1.2 µs |
| Серия | eSMP® |
| Технология | Avalanche |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 600 V |
|---|---|
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 920 mV @ 1.5 A |
| Current - Average Rectified (Io) | 2.1A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 10 µA @ 600 V |
| Скорость | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Package / Case | TO-277, 3-PowerDFN |
|---|---|
| Корпус производителя | TO-277A (SMPC) |
| Grade | Automotive |
|---|---|
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 175°C |
| Qualification | AEC-Q101 |