Vishay General Semiconductor - Diodes Division
DIODE AVAL 200V 1.5A DO219AB
Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
| Capacitance @ Vr, F | 8.8pF @ 4V, 1MHz |
|---|---|
| Производитель | Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) |
| Статус позиции | В производстве |
| Reverse Recovery Time (trr) | 1.3 µs |
| Технология | Avalanche |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 200 V |
|---|---|
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.15 V @ 1.5 A |
| Current - Average Rectified (Io) | 1.5A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 5 µA @ 200 V |
| Скорость | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Package / Case | DO-219AB |
|---|---|
| Корпус производителя | DO-219AB (SMF) |
| Grade | Automotive |
|---|---|
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 175°C |
| Qualification | AEC-Q101 |