Общие
| Базовый Part Number | 8EWS10 |
|---|---|
| Производитель | Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Product Status | Obsolete |
| Технология | Standard |
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
8EWS10STRL
Аналоговые и силовые компоненты
DIODE GEN PURP 1KV 8A DPAK
Технические характеристики
Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
Электрические
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 1000 V |
|---|---|
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.1 V @ 8 A |
| Current - Average Rectified (Io) | 8A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 50 µA @ 1000 V |
| Скорость | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Механические
| Корпус | Tape & Reel (TR) |
|---|---|
| Корпус производителя | TO-252AA (DPAK) |
Среда
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 150°C |
|---|