Общие
| Базовый Part Number | 8EWF12 |
|---|---|
| Производитель | Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) |
| Статус позиции | Устаревший |
| Reverse Recovery Time (trr) | 270 ns |
| Технология | Standard |
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
8EWF12STR
Аналоговые и силовые компоненты
DIODE GEN PURP 1.2KV 8A DPAK
Технические характеристики
Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
Электрические
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 1200 V |
|---|---|
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.3 V @ 8 A |
| Current - Average Rectified (Io) | 8A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 100 µA @ 1200 V |
| Скорость | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Механические
| Package / Case | TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 |
|---|---|
| Корпус производителя | TO-252AA (DPAK) |
Среда
| Operating Temperature - Junction | -40°C ~ 150°C |
|---|