Vishay General Semiconductor - Diodes Division
DIODE AVALANCHE 200V 2A SOD57
Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
| Базовый Part Number | 1N5059 |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 40pF @ 0V, 1MHz |
| Производитель | Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
| Тип монтажа | Through Hole |
| Упаковка | Tape & Box (TB) |
| Статус позиции | В производстве |
| Reverse Recovery Time (trr) | 4 µs |
| Технология | Avalanche |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 200 V |
|---|---|
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.15 V @ 2.5 A |
| Current - Average Rectified (Io) | 2A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 1 µA @ 200 V |
| Скорость | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Package / Case | SOD-57, Axial |
|---|---|
| Корпус производителя | SOD-57 |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 175°C |
|---|