Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 41mOhm @ 30A, 12V |
|---|---|
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 37.8 nC @ 15 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1400 pF @ 400 V |
| Производитель | UnitedSiC |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Product Status | Active |
| Технология | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 6V @ 10mA |
| Напряжение сток-исток | 750 V |
|---|---|
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 12V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 44A (Tc) |
| Макс. рассеиваемая мощность | 197W (Tc) |
| Корпус | Tape & Reel (TR) |
|---|---|
| Package / Case | TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA |
| Корпус производителя | D2PAK-7 |
| Рабочая температура | -55°C~175°C(TJ) |
|---|