Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 100mOhm @ 20A, 12V |
|---|---|
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 51 nC @ 15 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1500 pF @ 100 V |
| Производитель | UnitedSiC |
| Тип монтажа | Through Hole |
| Product Status | Not For New Designs |
| Технология | SiCFET (Cascode SiCJFET) |
| Vgs (Max) | ±25V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 6V @ 10mA |
| Напряжение сток-исток | 1200 V |
|---|---|
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 12V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 33A (Tc) |
| Макс. рассеиваемая мощность | 254.2W (Tc) |
| Корпус | Tube |
|---|---|
| Package / Case | TO-247-3 |
| Корпус производителя | TO-247-3 |
| Рабочая температура | -55°C~175°C(TJ) |
|---|