Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 91mOhm @ 20A, 12V |
|---|---|
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 37.8 nC @ 15 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1370 pF @ 800 V |
| Производитель | UnitedSiC |
| Тип монтажа | Through Hole |
| Product Status | Active |
| Технология | SiCFET (Cascode SiCJFET) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 6V @ 10mA |
| Напряжение сток-исток | 1200 V |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 27.5A (Tc) |
| Макс. рассеиваемая мощность | 217W (Tc) |
| Корпус | Tube |
|---|---|
| Package / Case | TO-247-3 |
| Корпус производителя | TO-247-3 |
| Рабочая температура | -55°C~175°C(TJ) |
|---|