1N60L

UMW

1N60L

Аналоговые и силовые компоненты

TO-252 N-CHANNEL POWER MOSFET

В производствеTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63Аналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs11Ohm @ 500mA, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs4.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds150 pF @ 25 V
ПроизводительUMW
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusActive
СерияUMW
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±30V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток600 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C1A (Tj)

Механические

КорпусTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / CaseTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Корпус производителяTO-252 (DPAK)

Среда

Рабочая температура150°C (TJ)