Общие
| Конфигурация выхода | Phototransistor |
|---|---|
| Производитель | TT Electronics/Optek Technology |
| Тип монтажа | Through Hole |
| Product Status | Obsolete |
| Sensing Method | Through-Beam |
| Тип | Unamplified |

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
| Конфигурация выхода | Phototransistor |
|---|---|
| Производитель | TT Electronics/Optek Technology |
| Тип монтажа | Through Hole |
| Product Status | Obsolete |
| Sensing Method | Through-Beam |
| Тип | Unamplified |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 30 V |
|---|---|
| Current - DC Forward (If) (Max) | 50 mA |
| Корпус | Bulk |
|---|---|
| Package / Case | Radial |
| Рабочая температура | -40°C ~ 100°C |
|---|