Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 60mOhm @ 22A, 10V |
|---|---|
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 24 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1000 pF @ 400 V |
| Производитель | Transphorm |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Product Status | Active |
| Серия | SuperGaN® |
| Технология | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.8V @ 700µA |
| Напряжение сток-исток | 650 V |
|---|---|
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 34A (Tc) |
| Макс. рассеиваемая мощность | 119W (Tc) |
| Корпус | Tube |
|---|---|
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Корпус производителя | TO-263 |
| Рабочая температура | -55°C~150°C(TJ) |
|---|