TP65H035WSQA

Transphorm

TP65H035WSQA

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

GANFET N-CH 650V 47.2A TO247-3

В производствеTO-247-3Аналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs41mOhm @ 32A, 10V
Базовый Part NumberTP65H035
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1500 pF @ 400 V
ПроизводительTransphorm
Тип монтажаThrough Hole
Product StatusActive
СерияAutomotive, AEC-Q101
ТехнологияGaNFET (Cascode Gallium Nitride FET)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4.5V @ 1mA

Электрические

Напряжение сток-исток650 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C47.2A (Tc)
Макс. рассеиваемая мощность187W (Tc)

Механические

КорпусTube
Package / CaseTO-247-3
Корпус производителяTO-247-3

Среда

Рабочая температура-55°C~175°C(TJ)