Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 60V 20A 8TSON
Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 12mOhm @ 10A, 10V |
|---|---|
| Базовый Part Number | XPN12006 |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 23 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1100 pF @ 10 V |
| Производитель | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Product Status | Active |
| Серия | Automotive, AEC-Q101 |
| Технология | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 0.2mA |
| Напряжение сток-исток | 60 V |
|---|---|
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 20A |
| Макс. рассеиваемая мощность | 65W (Tc) |
| Корпус | Tape & Reel (TR) |
|---|---|
| Package / Case | 8-PowerVDFN |
| Корпус производителя | 8-TSON Advance-WF (3.1x3.1) |
| Рабочая температура | -55°C~175°C |
|---|