Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 60V 110A 8SOP
Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.1mOhm @ 55A, 10V |
|---|---|
| Базовый Part Number | XPH2R106 |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 104 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 6900 pF @ 10 V |
| Производитель | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Product Status | Active |
| Серия | Automotive, AEC-Q101, U-MOSVIII-H |
| Технология | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
| Напряжение сток-исток | 60 V |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 110A (Ta) |
| Макс. рассеиваемая мощность | 960mW (Ta), 170W (Tc) |
| Корпус | Tape & Reel (TR) |
|---|---|
| Package / Case | 8-SOIC (0.197", 5.00mm Width) |
| Корпус производителя | 8-SOP Advance (5x5) |
| Рабочая температура | 175°C |
|---|