Общие
| Базовый Part Number | ULN2803 |
|---|---|
| Производитель | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Тип монтажа | Through Hole |
| Product Status | Obsolete |
| Transistor Type | 8 NPN Darlington |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1.6V @ 500µA, 350mA |

Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS 8NPN DARL 50V 0.5A 18DIP
Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
| Базовый Part Number | ULN2803 |
|---|---|
| Производитель | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Тип монтажа | Through Hole |
| Product Status | Obsolete |
| Transistor Type | 8 NPN Darlington |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1.6V @ 500µA, 350mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 500mA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 1000 @ 350mA, 2V |
| Power - Max | 1.47W |
| Корпус | Tube |
|---|---|
| Package / Case | 18-DIP (0.300", 7.62mm) |
| Корпус производителя | 18-DIP |
| Рабочая температура | -40°C ~ 85°C (TA) |
|---|