Общие
| Базовый Part Number | TTC1949 |
|---|---|
| Производитель | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Product Status | Active |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 400mV @ 50mA, 500mA |
Toshiba Semiconductor and Storage
TTC1949-GR,LF
DatasheetАналоговые и силовые компоненты
TRANS NPN 50V 0.5A SMINI
Технические характеристики
Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
Электрические
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 500 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 180 @ 100mA, 1V |
| Power - Max | 200 mW |
| Frequency - Transition | 100MHz |
Механические
| Корпус | Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) |
|---|---|
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Корпус производителя | S-Mini |
Среда
| Рабочая температура | 150°C (TJ) |
|---|