Общие
| Базовый Part Number | TTC0002 |
|---|---|
| Производитель | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Тип монтажа | Through Hole |
| Product Status | Active |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 2V @ 900mA, 9A |
Toshiba Semiconductor and Storage
TTC0002(Q)
DatasheetАналоговые и силовые компоненты
TRANS NPN 160V 18A TO3P
Технические характеристики
Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
Электрические
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 160 V |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 18 A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 1µA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 1A, 5V |
| Power - Max | 180 W |
| Frequency - Transition | 30MHz |
Механические
| Корпус | Bulk |
|---|---|
| Package / Case | TO-3PL |
| Корпус производителя | TO-3P(L) |
Среда
| Рабочая температура | 150°C (TJ) |
|---|