Общие
| Базовый Part Number | TRS8E65 |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 28pF @ 650V, 1MHz |
| Производитель | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Тип монтажа | Through Hole |
| Product Status | Active |
| Reverse Recovery Time (trr) | 0 ns |
| Технология | SiC (Silicon Carbide) Schottky |
Toshiba Semiconductor and Storage
TRS8E65F,S1Q
DatasheetАналоговые и силовые компоненты
DIODE SIL CARB 650V 8A TO220-2L
Технические характеристики
Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
Электрические
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 650 V |
|---|---|
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.6 V @ 8 A |
| Current - Average Rectified (Io) | 8A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 40 µA @ 650 V |
| Скорость | No Recovery Time > 500mA (Io) |
Механические
| Корпус | Tube |
|---|---|
| Package / Case | TO-220-2 |
| Корпус производителя | TO-220-2L |
Среда
| Operating Temperature - Junction | 175°C (Max) |
|---|