Toshiba Semiconductor and Storage
G3 SIC-SBD 650V 4A DFN8X8
Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
| Capacitance @ Vr, F | 263pF @ 1V, 1MHz |
|---|---|
| Производитель | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) |
| Статус позиции | В производстве |
| Reverse Recovery Time (trr) | 0 ns |
| Технология | SiC (Silicon Carbide) Schottky |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 650 V |
|---|---|
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.34 V @ 4 A |
| Current - Average Rectified (Io) | 4A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 55 µA @ 650 V |
| Скорость | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Package / Case | 4-VSFN Exposed Pad |
|---|---|
| Корпус производителя | 4-DFN-EP (8x8) |
| Operating Temperature - Junction | 175°C |
|---|