Общие
| Базовый Part Number | TRS16N |
|---|---|
| Diode Configuration | 1 Pair Common Cathode |
| Производитель | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Тип монтажа | Through Hole |
| Product Status | Obsolete |
| Технология | Schottky |
Toshiba Semiconductor and Storage
TRS16N65D,S1F
Аналоговые и силовые компоненты
DIODE ARR SCHOTT 650V 8A TO247
Технические характеристики
Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
Электрические
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 650 V |
|---|---|
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.7 V @ 8 A |
| Current - Average Rectified (Io) (per Diode) | 8A (DC) |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 90 µA @ 650 V |
| Скорость | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Механические
| Корпус | Tube |
|---|---|
| Package / Case | TO-247-3 |
| Корпус производителя | TO-247 |
Среда
| Operating Temperature - Junction | 175°C (Max) |
|---|