Toshiba Semiconductor and Storage
PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DSO
Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.7mOhm @ 45A, 10V |
|---|---|
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 67 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 6300 pF @ 50 V |
| Производитель | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) |
| Статус позиции | В производстве |
| Серия | U-MOSIX-H |
| Технология | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
| Напряжение сток-исток | 100 V |
|---|---|
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 90A (Tc) |
| Макс. рассеиваемая мощность | 960mW (Ta), 170W (Tc) |
| Package / Case | 8-PowerVDFN |
|---|---|
| Корпус производителя | 8-DSOP Advance |
| Рабочая температура | 175°C |
|---|