Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 60V 26A 8TSON
Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7.5mOhm @ 13A, 10V |
|---|---|
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 22 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1800 pF @ 30 V |
| Производитель | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Product Status | Active |
| Серия | U-MOSVIII-H |
| Технология | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 200µA |
| Напряжение сток-исток | 60 V |
|---|---|
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6.5V, 10V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 26A (Tc) |
| Макс. рассеиваемая мощность | 700mW (Ta), 42W (Tc) |
| Корпус | Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) |
|---|---|
| Package / Case | 8-PowerVDFN |
| Корпус производителя | 8-TSON Advance (3.1x3.1) |
| Рабочая температура | 150°C (TJ) |
|---|