Общие
| Channel Type | Single |
|---|---|
| Driven Configuration | High-Side |
| Gate Type | N-Channel MOSFET |
| Тип входа | Non-Inverting |
| Производитель | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Number of Drivers | 1 |
| Product Status | Active |
Toshiba Semiconductor and Storage
TPD7107F,BXH
DatasheetАналоговые и силовые компоненты
IPD MOSFET IC WSON10 PD=1.84W VD
Технические характеристики
Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
Электрические
| Current - Peak Output (Source, Sink) | 5mA |
|---|---|
| Logic Voltage - VIL, VIH | 0.6V, 2.4V |
| Напряжение питания | 5.75V ~ 26V |
Механические
| Корпус | Tube |
|---|---|
| Package / Case | 10-WFDFN Exposed Pad |
| Корпус производителя | 10-WSON (3x3) |
Среда
| Рабочая температура | -40°C~125°C(TJ) |
|---|