Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 30V 7.2A PS-8
Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 16mOhm @ 3.6A, 10V |
|---|---|
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 11 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 640 pF @ 10 V |
| Производитель | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Product Status | Obsolete |
| Серия | U-MOSIII |
| Технология | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.3V @ 1mA |
| Напряжение сток-исток | 30 V |
|---|---|
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 7.2A (Ta) |
| Макс. рассеиваемая мощность | 1W (Ta), 30W (Tc) |
| Корпус | Tape & Reel (TR) |
|---|---|
| Package / Case | 8-SMD, Flat Lead |
| Корпус производителя | PS-8 (2.9x2.4) |
| Рабочая температура | 150°C (TJ) |
|---|