Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 20V 3A VS-8
Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 49mOhm @ 1.5A, 4.5V |
|---|---|
| FET Feature | Schottky Diode (Isolated) |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 7.5 nC @ 5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 590 pF @ 10 V |
| Производитель | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Product Status | Obsolete |
| Серия | U-MOSIII |
| Технология | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±12V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.2V @ 200µA |
| Напряжение сток-исток | 20 V |
|---|---|
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 2V, 4.5V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3A (Ta) |
| Макс. рассеиваемая мощность | 330mW (Ta) |
| Корпус | Tape & Reel (TR) |
|---|---|
| Package / Case | 8-SMD, Flat Lead |
| Корпус производителя | VS-8 (2.9x1.5) |
| Рабочая температура | 150°C (TJ) |
|---|