Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET P-CH 30V 20A 8TSON
Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.8mOhm @ 10A, 10V |
|---|---|
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 58 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2260 pF @ 10 V |
| Производитель | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) |
| Статус позиции | В производстве |
| Серия | U-MOSVI |
| Технология | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | +20V, -25V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 500µA |
| Напряжение сток-исток | 30 V |
|---|---|
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 20A (Ta) |
| Макс. рассеиваемая мощность | 700mW (Ta), 27W (Tc) |
| Package / Case | 8-PowerVDFN |
|---|---|
| Корпус производителя | 8-TSON Advance (3.1x3.1) |
| Рабочая температура | 150°C |
|---|