TPCC8009,LQ(O

Toshiba Semiconductor and Storage

TPCC8009,LQ(O

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET N-CH 30V 24A 8TSON

Устаревший8-PowerVDFNАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs7mOhm @ 12A, 10V
Базовый Part NumberTPCC8009
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1270 pF @ 10 V
ПроизводительToshiba Semiconductor and Storage
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusObsolete
СерияU-MOSIV
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id3V @ 200µA

Электрические

Напряжение сток-исток30 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C24A (Ta)

Механические

КорпусTape & Reel (TR)
Package / Case8-PowerVDFN
Корпус производителя8-TSON Advance (3.1x3.1)

Среда

Рабочая температура150°C (TJ)