TPC8228-H,LQ

Toshiba Semiconductor and Storage

TPC8228-H,LQ

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET 2N-CH 60V 3.8A 8SOP

В производстве8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)Аналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs57mOhm @ 1.9A, 10V
Базовый Part NumberTPC8228
Конфигурация2 N-Channel (Dual)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs11nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds640pF @ 10V
ПроизводительToshiba Semiconductor and Storage
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusActive
СерияU-MOSVI-H
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id2.3V @ 100µA

Электрические

Напряжение сток-исток60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C3.8A
Power - Max1.5W (Ta)

Механические

КорпусTape & Reel (TR)
Package / Case8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Корпус производителя8-SOP

Среда

Рабочая температура150°C