TPC8223-H,LQ(S

Toshiba Semiconductor and Storage

TPC8223-H,LQ(S

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET 2N-CH 30V 9A 8SOP

Устаревший8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)Аналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs17mOhm @ 4.5A, 10V
Базовый Part NumberTPC8223
Конфигурация2 N-Channel (Dual)
FET FeatureLogic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs17nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1190pF @ 10V
ПроизводительToshiba Semiconductor and Storage
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusObsolete
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id2.3V @ 100µA

Электрические

Напряжение сток-исток30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C9A
Power - Max450mW

Механические

КорпусTape & Reel (TR)
Package / Case8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Корпус производителя8-SOP

Среда

Рабочая температура150°C (TJ)