TPC8109(TE12L)

Toshiba Semiconductor and Storage

TPC8109(TE12L)

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET P-CH 30V 10A 8-SOP

Устаревший8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)Аналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs20mOhm @ 5A, 10V
Базовый Part NumberTPC8109
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds2260 pF @ 10 V
ПроизводительToshiba Semiconductor and Storage
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusObsolete
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id2V @ 1mA

Электрические

Напряжение сток-исток30 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C10A (Ta)

Механические

КорпусCut Tape (CT)
Package / Case8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
Корпус производителя8-SOP (5.5x6.0)