TPC6110(TE85L,F,M)

Name: TPC6110(TE85L,F,M)
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET P-CH 30V 4.5A VS-6

УстаревшийSOT-23-6 Thin, TSOT-23-6Аналоговые и силовые компоненты

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Rds On (Max) @ Id, Vgs	56mOhm @ 2.2A, 10V
Базовый Part Number	TPC6110
FET Type	P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	510 pF @ 10 V
Производитель	Toshiba Semiconductor and Storage
Тип монтажа	Surface Mount
Product Status	Obsolete
Серия	U-MOSVI
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id	2V @ 100µA

Напряжение сток-исток	30 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	4.5A (Ta)
Макс. рассеиваемая мощность	700mW (Ta)

Рабочая температура	150°C(TJ)