Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 650V 5.2A IPAK
Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.22Ohm @ 2.6A, 10V |
|---|---|
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 10.5 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 380 pF @ 300 V |
| Производитель | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Тип монтажа | Through Hole |
| Product Status | Active |
| Серия | DTMOSIV |
| Технология | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 170µA |
| Напряжение сток-исток | 650 V |
|---|---|
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 5.2A (Ta) |
| Макс. рассеиваемая мощность | 60W (Tc) |
| Корпус | Tube |
|---|---|
| Package / Case | TO-251-3 Stub Leads, IPak |
| Корпус производителя | I-Pak |
| Рабочая температура | 150°C (TJ) |
|---|