Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 40V 100A TO220
Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.8mOhm @ 30A, 4.5V |
|---|---|
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 63.4 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 4670 pF @ 20 V |
| Производитель | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Тип монтажа | Through Hole |
| Product Status | Active |
| Серия | U-MOSIX-H |
| Технология | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.4V @ 500µA |
| Напряжение сток-исток | 40 V |
|---|---|
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 100A (Tc) |
| Макс. рассеиваемая мощность | 87W (Tc) |
| Корпус | Tube |
|---|---|
| Package / Case | TO-220-3 |
| Корпус производителя | TO-220 |
| Рабочая температура | 175°C (TJ) |
|---|