Toshiba Semiconductor and Storage
PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO
Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.9mOhm @ 50A, 10V |
|---|---|
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 161 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 9500 pF @ 50 V |
| Производитель | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Тип монтажа | Through Hole |
| Product Status | Active |
| Серия | U-MOSIX-H |
| Технология | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
| Напряжение сток-исток | 100 V |
|---|---|
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 100A (Ta) |
| Макс. рассеиваемая мощность | 306W (Tc) |
| Корпус | Tube |
|---|---|
| Package / Case | TO-220-3 |
| Корпус производителя | TO-220 |
| Рабочая температура | 175°C |
|---|