Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 100V 18A TO220-3
Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 42mOhm @ 9A, 10V |
|---|---|
| Базовый Part Number | TK18E10 |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 33 nC @ 10 V |
| Производитель | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Тип монтажа | Through Hole |
| Product Status | Obsolete |
| Серия | U-MOSIV |
| Технология | MOSFET (Metal Oxide) |
| Напряжение сток-исток | 100 V |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 18A (Ta) |
| Корпус | Tube |
|---|---|
| Package / Case | TO-220-3 |
| Корпус производителя | TO-220-3 |
| Рабочая температура | 150°C (TJ) |
|---|