TK16A55D(STA4,Q,M)

Name: TK16A55D(STA4,Q,M)
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET N-CH 550V 16A TO220SIS

В производствеTO-220-3 Full PackАналоговые и силовые компоненты

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Rds On (Max) @ Id, Vgs	330mOhm @ 8A, 10V
Базовый Part Number	TK16A55
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	2600 pF @ 25 V
Производитель	Toshiba Semiconductor and Storage
Тип монтажа	Through Hole
Product Status	Active
Серия	π-MOSVII
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 1mA

Напряжение сток-исток	550 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	16A (Ta)

Рабочая температура	150°C (TJ)