Toshiba Semiconductor and Storage
PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO
Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 300mOhm @ 5.8A, 10V |
|---|---|
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 25 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 890 pF @ 300 V |
| Производитель | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Тип монтажа | Through Hole |
| Упаковка | Tube |
| Статус позиции | В производстве |
| Серия | DTMOSIV |
| Технология | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.7V @ 600µA |
| Напряжение сток-исток | 500 V |
|---|---|
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 11.5A (Ta) |
| Макс. рассеиваемая мощность | 35W (Tc) |
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
|---|---|
| Корпус производителя | TO-220SIS |
| Рабочая температура | 150°C |
|---|