SSM6P49NU,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

SSM6P49NU,LF

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET 2P-CH 20V 4A 6UDFN

В производстве6-WDFN Exposed PadАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs45mOhm @ 3.5A, 10V
Базовый Part NumberSSM6P49
Конфигурация2 P-Channel (Dual)
FET FeatureLogic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs6.74nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds480pF @ 10V
ПроизводительToshiba Semiconductor and Storage
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusActive
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id1.2V @ 1mA

Электрические

Напряжение сток-исток20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C4A
Power - Max1W

Механические

КорпусTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case6-WDFN Exposed Pad
Корпус производителя6-UDFN (2x2)

Среда

Рабочая температура150°C (TJ)